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BSS138N H6327

Name: Infineon BSS138N H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS138NH6327
Price: 13.98 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

726-BSS138NH6327

製造商編號：

BSS138N H6327

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

規格書:

BSS138N H6327 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$13.98	NT$13.98
	NT$9.68	NT$96.80
	NT$6.13	NT$613.00
	NT$3.87	NT$1,935.00
	NT$3.37	NT$3,370.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$2.94	NT$8,820.00
	NT$2.51	NT$15,060.00
	NT$2.22	NT$19,980.00
	NT$1.65	NT$39,600.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

SP000919330

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$12.19

最小值:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOT-23-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	60 V
Id - C連續漏極電流:	230 mA
Rds On - 漏-源電阻:	2.2 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1 V
Qg - 閘極充電:	1 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	360 mW
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q100
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降時間:	8.2 ns
互導 - 最小值:	100 mS
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	3 ns
系列:	BSS138
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	6.7 ns
標準開啟延遲時間:	2.3 ns
零件號別名:	BSS138NH6327XT SP000919330 BSS138NH6327XTSA2
每件重量:	8 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

                        
Printable assembly instructions are available on this part page on 
Mouser.com

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further 
information.

5-0222-5

篩選文檔:

規格書

BSS138N H6327 規格書 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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合規守則

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 馬來西亞
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 奧地利

出貨時，國家可能會有所變更。

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

小型訊號功率MOSFET

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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