似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

IPW60R017C7XKSA1

Name: Infineon IPW60R017C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R017C7XKSA1
Price: 840.68 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-IPW60R017C7XKSA1

製造商編號：

IPW60R017C7XKSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET HIGH POWER_NEW

規格書:

IPW60R017C7XKSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Infineon Technologies IPW60R017C7XKSA1的資訊

庫存量: 541

庫存：: 541

可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
在途量:: 960

預期2027/4/22
工廠前置作業時間：: 52

週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

此產品已報告長備貨期。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$840.68	NT$840.68
	NT$627.73	NT$6,277.30
	NT$543.13	NT$54,313.00
	NT$513.73	NT$246,590.40
1,200	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	109 A
Rds On - 漏-源電阻:	17 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	240 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	446 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	CoolMOS
封裝:	Tube
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降時間:	4 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	25 ns
系列:	CoolMOS C7
原廠包裝數量:	240
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	106 ns
標準開啟延遲時間:	30 ns
零件號別名:	IPW60R017C7 SP001313542
每件重量:	6 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IPW60R017C7XKSA1 規格書 (PDF)

Application Notes

Other

Packaging:PG-TO247-3-41 | IPW60R017C7XKSA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model CoolMOS™ Power MOSFET PSpice 600V C7 (郵遞編號)

Technical Resources

此功能需要啟用JavaScript。

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 德國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 德國

出貨時，國家可能會有所變更。

CoolMOS™ 7超級結MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7超級結MOSFET在能源效率、功率密度和使用便利性奠定新標準。CoolMOS 7技術採用創新的封裝概念與各種技術，係專為特定應用最佳化。CoolMOS 7 MOSFETS可用來縮小電動車充電站體積，提高其輸出，加快充電速度。CoolMOS 7的推出，使新一代的配接器和充電器體積更為輕巧、效率更優異。有了CoolMOS 7，將幫助工程師推出成本更低、效率更高的再生能源系統。

CoolMOS™ C7 Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low R_DS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The C7 is optimized for hard switching topologies such as Power Factor Correction (CCM PFC), Two Transistor Forward (TTF) and Solar Boost in applications such as Solar, Server, Telecom and UPS. The 650V breakdown voltage makes it suitable for Solar and Switched Mode Power Supplies (SMPS) PFC stages where extra safety margin are required. They offer the world's lowest R_DS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D²PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.

快速DC EV充電解決方案

Infineon電動汽車直流快速充電解決方案可幫助解決電動汽車的需求。隨著市場上電動汽車數量不斷增長，以及政府要求在2050年前實現汽車排放歸零的壓力，人們迫切需要更加高效的充電解決方案。正如各類消費者研究所示，用戶對電動汽車的接受程度深受充電過程的有效性和時長影響。而高功率直流充電站就是滿足此類市場需求的解決方案。如今，常規電動汽車可在10分鐘內充滿80%的電池容量。這樣的充電速度已經堪比傳統內燃機汽車的加油速度。Infineon協助實現節能直流快速充電設計。Infineon可一站式供應各類即用型產品和設計組合，涵蓋電源轉換、微控制器、安全防護、輔助電源和通訊產品系列。