AS4C128M32MD2A-18BIN

Alliance Memory
913-4C12832MD2A18BIN
AS4C128M32MD2A-18BIN

製造商：

說明：
DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tray

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$620.84 NT$620.84
NT$575.96 NT$5,759.60
NT$557.94 NT$13,948.50
NT$544.34 NT$27,217.00
NT$520.54 NT$52,054.00
NT$507.28 NT$86,744.88
NT$499.46 NT$256,222.98

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Alliance Memory
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile - LPDDR2
4 Gbit
32 bit
533 MHz
FBGA-134
128 M x 32
18 ns
1.14 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C128M32MD2A-18
Tray
品牌: Alliance Memory
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 171
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 130 mA
每件重量: 36.420 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR2 SDRAM

Alliance Memory DDR2 SDRAM is designed to comply with DDR2 SDRAM key features. Features such as posted CAS# with additive latency, Write latency=Read latency -1, and On-Die Termination (ODT). All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and DQS#) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address information in RAS #, CAS# multiplexing style.

低功率DDR2 SDRAM

Alliance Memory低功率DDR2 SDRAM是高速CMOS和動態存取記憶體，內部配置為8個儲蓄位記憶體裝置。 這些DDR2 SDRAM採用4位元預取DDR架構、可編程READ和WRITE潛伏期、自動溫度補償自我刷新(TCSR)及時鐘停止功能。DDR2 SDRAM在指令/地址(CA)匯流排上採用雙倍數據傳輸率架構，減少了系統內的輸入引腳數量。此CA匯流排用於傳送地址、指令和儲蓄位資訊。這些DDR2 SDRAM透過在DQ（雙向/查分數據匯流排）引腳上採用雙倍數據傳輸率架構，實現高速操作。

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