GS8161E18DGD-250IV

Name: GSI Technology GS8161E18DGD-250IV
Brand: GSI Technology
SKU: 464-8161E18DGD250IV
Price: 1667.36 TWD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

464-8161E18DGD250IV

製造商編號：

GS8161E18DGD-250IV

製造商：

GSI Technology

說明：

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M

規格書:

GS8161E18DGD-250IV 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於GSI Technology GS8161E18DGD-250IV的資訊

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 請聯系洽詢價格和交期

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,667.36	NT$1,667.36
	NT$1,613.64	NT$16,136.40
	NT$1,430.38	NT$25,746.84
	NT$1,367.14	NT$147,651.12
	NT$1,332.12	NT$335,694.24
504	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	GSI Technology
產品類型:	SRAM
RoHS:
存儲容量:	18 Mbit
組織:	1 M x 18
存取時間:	5.5 ns
最高時鐘頻率:	250 MHz
接口類型:	Parallel
電源電壓 - 最大值:	2.7 V
電源電壓 - 最小值:	1.7 V
電源電流 - 最大值:	225 mA, 245 mA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	BGA-165
封裝:	Tray
品牌:	GSI Technology
存儲類型:	SDR
濕度敏感:	Yes
產品類型:	SRAM
系列:	GS8161E18DGD
原廠包裝數量:	18
子類別:	Memory & Data Storage
公司名稱:	SyncBurst
類型:	DCD Pipeline/Flow Through

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

GS8161E18DGD-250IV 規格書 (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.