GS816218DB-250I

GSI Technology
464-GS816218DB-250I
GS816218DB-250I

製造商：

說明：
SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$932.96 NT$932.96
NT$864.62 NT$8,646.20
NT$836.74 NT$17,571.54
NT$748.00 NT$31,416.00
NT$730.32 NT$76,683.60
NT$708.22 NT$178,471.44
NT$677.62 NT$341,520.48
1,008 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
GSI Technology
產品類型: SRAM
18 Mbit
1 M x 18
5.5 ns
250 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
230 mA, 250 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
BGA-119
Tray
品牌: GSI Technology
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: Not Available
存儲類型: SDR
濕度敏感: Yes
產品類型: SRAM
系列: GS816218DB
原廠包裝數量: 21
子類別: Memory & Data Storage
公司名稱: SyncBurst
類型: Pipeline/Flow Through
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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