IXFN32N100P

IXYS
747-IXFN32N100P
IXFN32N100P

製造商：

說明：
MOSFET模組 32 Amps 1000V 0.32 Rds

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 196

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最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$1,283.50 NT$1,283.50
NT$954.38 NT$9,543.80
NT$856.12 NT$85,612.00
500 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
1 kV
27 A
320 mOhms
- 30 V, + 30 V
6.5 V
- 55 C
+ 150 C
690 W
IXFN32N100
Tube
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 43 ns
高度: 12.22 mm
長度: 38.23 mm
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 55 ns
原廠包裝數量: 10
子類別: Discrete and Power Modules
公司名稱: HiPerFET
類型: Polar Power MOSFET HiPerFET
標準斷開延遲時間: 76 ns
標準開啟延遲時間: 50 ns
寬度: 25.42 mm
每件重量: 30 g
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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