FS150R12N2T7B15BPSA1

Name: Infineon FS150R12N2T7B15BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS150R12N2T7B15B
Price: 2343.28 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-FS150R12N2T7B15B

製造商編號：

FS150R12N2T7B15BPSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

IGBT 模組 LOW POWER ECONO

規格書:

FS150R12N2T7B15BPSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$2,343.28	NT$2,343.28

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	IGBT 模組
產品:	IGBT Silicon Modules
配置:	6-Pack
集電極-發射極最大電壓VCEO:	1.2 kV
集電極-發射極飽和電壓:	1.55 V
連續集電極電流在25 C:	150 A
柵射極漏電電流:	100 nA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
封裝:	Tray
品牌:	Infineon Technologies
柵極發射機最大電壓:	20 V
安裝風格:	Through Hole
產品類型:	IGBT Modules
原廠包裝數量:	15
子類別:	IGBTs
技術:	Si
零件號別名:	FS150R12N2T7_B15 SP005551571

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所選屬性: 0

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規格書

FS150R12N2T7B15BPSA1 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200V Sixpack IGBT Modules

Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules are EasyPACK™ 1B sixpack IGBT modules with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, and NTC technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules.