IPW65R041CFDFKSA2

Infineon Technologies
726-IPW65R041CFDFKS2
IPW65R041CFDFKSA2

製造商：

說明：
MOSFET HIGH POWER_LEGACY

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 201

庫存：
201
可立即送貨
在途量:
240
預期2026/10/15
工廠前置作業時間：
15
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$403.58 NT$403.58
NT$243.10 NT$2,431.00
NT$232.90 NT$23,290.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
700 V
68.5 A
41 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
300 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
Tube
品牌: Infineon Technologies
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: DE
產品類型: MOSFETs
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
零件號別名: IPW65R041CFD SP001987360
每件重量: 6 g
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ 功率電晶體

Infineon CoolMOS™ 功率電晶體採用面向高壓功率MOSFET的革命性CoolMOS™技術，該技術根據超結原理(SJ)設計，並由Infineon Technologies率先應用。CoolMOS™ C6和E6系列功率電晶體融合了一流SJ MOSFET供應商的實踐經驗，並兼具高度的創新性。它不僅可以提供快速開關SJ MOSFET的所有優勢，同時在易用性上也沒有絲毫的犧牲。極低的開關和傳導損耗使開關應用更加高效、精簡和輕量，散熱效果也更佳。
瞭解詳細資訊

Infineon Technologies擴展了採用CoolMOS™技術的CoolMOS®功率電晶體產品，該技術根據超結原理設計，適用於高壓功率MOSFET。這些CoolMOS®功率電晶體具備快速開關SJ MOSFET的所有優勢，同時提供堅固的超高速體二極管。Infineon Technologies CoolMOS® 功率電晶體尤其適用於PC Silverbox、LCD TV、照明、伺服器和電信等應用的諧振開關PWM階段。
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