S80KS5122GABHI020

Infineon Technologies
727-S5122GABHI020
S80KS5122GABHI020

製造商：

說明：
DRAM SPCM

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 168

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在途量:
676
預期2027/1/5
工廠前置作業時間：
26
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
此產品已報告長備貨期。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$429.48 NT$429.48
NT$393.27 NT$3,932.70
NT$381.44 NT$9,536.00
NT$372.12 NT$18,606.00
NT$363.16 NT$36,316.00
NT$351.33 NT$87,832.50
NT$336.63 NT$113,780.94

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
512 Mbit
8 bit
200 MHz
FBGA-24
64 M x 8
35 ns
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Tray
品牌: Infineon Technologies
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 338
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 44 mA
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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合規守則
CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320032
ECCN:
3A991.b.2
原產地分類
原產國:
泰國
封裝原產國:
泰國
擴散國:
中國台灣
出貨時，國家可能會有所變更。

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS5122 and S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory is a high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) for high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes. HYPERRAM products support JEDEC JESD251 profile compliant HYPERBUS™ and Octal xSPI interfaces that draw upon the legacy features of both parallel and serial interface memories while enhancing system performance and ease of design as reducing system cost. The low-pin count architecture makes HYPERRAM especially suitable for power and board space-constrained applications requiring off-chip external RAM.

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