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S80KS5122GABHI020

Name: Infineon S80KS5122GABHI020
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S5122GABHI020
Price: 423.75 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

727-S5122GABHI020

製造商編號：

S80KS5122GABHI020

製造商：

Infineon Technologies

說明：

DRAM SPCM

規格書:

S80KS5122GABHI020 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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庫存量: 66

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在途量:: 676

預期2027/1/5
工廠前置作業時間：: 26

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$423.75	NT$423.75
	NT$393.27	NT$3,932.70
	NT$381.44	NT$9,536.00
	NT$372.12	NT$18,606.00
	NT$363.16	NT$36,316.00
	NT$351.33	NT$87,832.50
	NT$342.01	NT$115,599.38
	NT$333.41	NT$338,077.74
2,704	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	DRAM
RoHS:
類型:	HyperRAM
存儲容量:	512 Mbit
數據匯流排寬度:	8 bit
最高時鐘頻率:	200 MHz
封裝/外殼:	FBGA-24
組織:	64 M x 8
存取時間:	35 ns
電源電壓 - 最小值:	1.7 V
電源電壓 - 最大值:	2 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
封裝:	Tray
品牌:	Infineon Technologies
濕度敏感:	Yes
安裝風格:	SMD/SMT
產品類型:	DRAM
原廠包裝數量:	338
子類別:	Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值:	44 mA

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

S80KS5122GABHI020 規格書 (PDF)

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合規守則

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320032
ECCN:: 3A991.b.2

原產地分類

原產國:: 泰國
封裝原產國:: 泰國
擴散國:: 中國台灣

出貨時，國家可能會有所變更。

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS5122 and S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory is a high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) for high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes. HYPERRAM products support JEDEC JESD251 profile compliant HYPERBUS™ and Octal xSPI interfaces that draw upon the legacy features of both parallel and serial interface memories while enhancing system performance and ease of design as reducing system cost. The low-pin count architecture makes HYPERRAM especially suitable for power and board space-constrained applications requiring off-chip external RAM.