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MSC040SMA120J

Name: Microchip MSC040SMA120J
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC040SMA120J
Price: 1385.16 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

494-MSC040SMA120J

製造商編號：

MSC040SMA120J

製造商：

Microchip Technology

說明：

MOSFET模組 MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm SOT-227

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規格書:

MSC040SMA120J 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$1,385.16	NT$1,385.16
	NT$1,277.04	NT$38,311.20
	NT$1,111.46	NT$111,146.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Microchip
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	SOT-227-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	53 A
Rds On - 漏-源電阻:	50 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 25 V
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	208 W
封裝:	Tube
品牌:	Microchip Technology
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	PH
產品類型:	MOSFET Modules
原廠包裝數量:	10
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	Power MOSFET
每件重量:	50.487 g

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所選屬性: 0

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規格書

MSC040SMA120J 規格書 (PDF)

DTS

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

碳化矽(SiC) MOSFET

與傳統的矽(Si)功率MOSFET相比，Microsemi/Microchip碳化矽(SiC) MOSFET具有良好的動態及熱性能。這些MOSFET具有低電容、低閘極電荷、快速開關速度及良好的高雪崩耐受性。碳化矽MOSFET能夠在175°C的高結溫下穩定工作。這些MOSFET提供高效率及低開關損耗。這些碳化矽MOSFET無需任何續流二極體，可降低系統成本。典型應用包括智能電網輸配電、感應加熱及焊接、供電及配電。