Name: Microchip MSC050SDA120B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC050SDA120B
Price: 606.58 TWD
Availability: InStock

說明：

碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$606.58	NT$606.58
	NT$583.64	NT$17,509.20
	NT$493.65	NT$251,761.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Microchip
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-2
配置:	Single
If - 順向電流:	50 A
Vrrm - 重複反向電壓:	1.2 kV
Vf - 順向電壓:	1.5 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	290 A
Ir - 反向電流:	200 uA
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	MSC0
封裝:	Tube
品牌:	Microchip Technology
Pd - 功率消耗 :	429 W
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	30
子類別:	Diodes & Rectifiers
Vr - 反向電壓:	1.2 kV
每件重量:	12 g

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所選屬性: 0

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合規守則

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 菲律賓
封裝原產國:: 美國
擴散國:: 無資料

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