MSCSM120AM02CT6LIAG

Microchip Technology
494-SM120AM02CT6LIAG
MSCSM120AM02CT6LIAG

製造商：

說明：
離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$40,936.04 NT$40,936.04

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Microchip
產品類型: 離散半導體模組
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
SMD/SMT
SP6
- 40 C
+ 125 C
品牌: Microchip Technology
配置: Dual
下降時間: 67 ns
Id - C連續漏極電流: 947 A
Pd - 功率消耗 : 3.75 kW
產品類型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 漏-源電阻: 2.6 mOhms
上升時間: 55 ns
原廠包裝數量: 1
子類別: Discrete Semiconductor Modules
晶體管極性: N-Channel
標準斷開延遲時間: 166 ns
標準開啟延遲時間: 56 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.8 V
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所選屬性: 0

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合規守則
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
菲律賓
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

相腳SiC MOSFET電源模組

Microsemi/Microchip相腳SiC MOSFET電源模組由SiC MOSFET與SiC二極體組成，因此同時結合了兩種裝置的優點。這些模組具有極低電感的SP6LI封裝，最大雜散電感為3nH。這些SP6LI功率模組有1200伏與1700伏兩種型號，外殼溫度(Tc)為80°C。SP6LI封裝提供更高的功率密度與小巧的外形，使得並行的模組數量更少，從而實現完整的系統，幫助設計者進一步縮小裝置的尺寸。

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