MSCSM120AM042CT6LIAG

Name: Microchip MSCSM120AM042CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-M120AM042CT6LIAG
Price: 24290.53 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

494-M120AM042CT6LIAG

製造商編號：

MSCSM120AM042CT6LIAG

製造商：

Microchip Technology

說明：

離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

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規格書:

MSCSM120AM042CT6LIAG 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$24,290.53	NT$24,290.53

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Microchip
產品類型:	離散半導體模組
RoHS:
產品:	MOSFET-SiC SBD Modules
類型:	MOSFET / SiC SBD
技術:	SiC
Vf - 順向電壓:	1.5 V
Vr - 反向電壓:	1.2 kV
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 25 V
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SP6
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
品牌:	Microchip Technology
配置:	Dual
下降時間:	67 ns
Id - C連續漏極電流:	495 A
Pd - 功率消耗 :	2.031 kW
產品類型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 漏-源電阻:	5.2 mOhms
上升時間:	55 ns
原廠包裝數量:	1
子類別:	Discrete Semiconductor Modules
晶體管極性:	N-Channel
標準斷開延遲時間:	166 ns
標準開啟延遲時間:	56 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.8 V

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規格書

MSCSM120AM042CT6LIAG 規格書 (PDF)

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合規守則

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 菲律賓
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

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