MT46V64M8P-5B:J

340-122948-TRAY
MT46V64M8P-5B:J

製造商：

說明：
DRAM DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT

壽命週期:
向工廠驗證狀態:
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規格書:
ECAD模型:
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供貨情況

庫存：

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Micron Technology
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
8 bit
200 MHz
TSOP-66
64 M x 8
700 ps
2.5 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
MT46V
Tray
品牌: Micron
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 1080
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 85 mA
每件重量: 9.140 g
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所選屬性: 0 

                        
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規格書

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合規守則
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國台灣
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

DDR SDRAM

Micron DDR SDRAM是革新性和先導性技術，允許應用在時鐘訊號的上升和下降邊緣傳送資料。這可使帶寬翻倍，並改善SDR SDRAM性能。為實現此功能，Micron採用2n-prefetch架構，其中內部資料匯流排是外部資料匯流排大小的兩倍，因此每個時鐘週期內資料擷取可進行兩次。

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