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TP65H030G4PRS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PRS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PRS-TR
Price: 338.3 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

227-TP65H030G4PRS-TR

製造商編號：

TP65H030G4PRS-TR

製造商：

Renesas Electronics

說明：

氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

TP65H030G4PRS-TR 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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完整捲（訂購多個1300）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$338.30	NT$338.30
	NT$233.24	NT$2,332.40
	NT$190.40	NT$19,040.00
完整捲（訂購多個1300）
	NT$155.38	NT$201,994.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Renesas Electronics
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TOLT-16
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	55.7 A
Rds On - 漏-源電阻:	41 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.8 V
Qg - 閘極充電:	24.5 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	192 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	SuperGaN
品牌:	Renesas Electronics
配置:	Single
下降時間:	5.2 ns
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	FETs
產品類型:	GaN FETs
上升時間:	6.4 ns
系列:	Gen IV SuperGaN
原廠包裝數量:	1300
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	GaN FET
標準斷開延遲時間:	63.6 ns
標準開啟延遲時間:	26.4 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

TP65H030G4PRS-TR 規格書 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN^® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.