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TP70H300G4JSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP70H300G4JSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H300G4JSGBTR
Price: 129.54 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

227-TP70H300G4JSGBTR

製造商編號：

TP70H300G4JSGB-TR

製造商：

Renesas Electronics

說明：

氮化鎵場效應管 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN

規格書:

TP70H300G4JSGB-TR 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
完整捲（訂購多個5000）
	NT$129.54	NT$647,700.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Renesas Electronics
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
Vds - 漏-源擊穿電壓:	700 V
公司名稱:	SuperGaN
品牌:	Renesas Electronics
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
產品:	FETs
產品類型:	GaN FETs
系列:	Gen IV SuperGaN
原廠包裝數量:	5000
子類別:	Transistors
技術:	GaN

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規格書

TP70H300G4JSGB-TR 規格書 (PDF)

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USHTS:: 8541497040
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.