MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

製造商:

說明:
閘極驅動器 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD模型:
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庫存量: 115

庫存:
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26 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
數量超過115會受到最小訂單要求的限制。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$386.92 NT$386.92
NT$297.84 NT$2,978.40
NT$278.46 NT$6,961.50
NT$252.62 NT$25,262.00
NT$241.06 NT$60,265.00
NT$231.54 NT$115,770.00
NT$213.86 NT$213,860.00
2,500 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 閘極驅動器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
品牌: STMicroelectronics
特徵: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
輸入電壓(最大值): 15 V
輸入電壓(最小值): 3.3 V
濕度敏感: Yes
產品類型: Gate Drivers
Rds On - 漏-源電阻: 225 mOhms
原廠包裝數量: 1560
子類別: PMIC - Power Management ICs
每件重量: 150 mg
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN半橋高壓驅動器

STMicroelectronics MASTERGAN半橋高電壓驅動器採用高功率密度電源,同時在半橋配置中整合了閘極驅動器和兩個增強模式GaN電晶體。整合式功率GaN具有150mΩ的RDS(ON)和650V漏源擊穿電壓。內建閘極驅動器的高側可由整合式自舉二極體輕鬆提供。