SGT080R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT080R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT080R70ILB
Price: 169.32 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-SGT080R70ILB

製造商編號：

SGT080R70ILB

製造商：

STMicroelectronics

說明：

氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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規格書:

SGT080R70ILB 規格書 (PDF)

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數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$169.32	NT$169.32
	NT$119.00	NT$1,190.00
	NT$102.68	NT$10,268.00
	NT$99.62	NT$49,810.00
	NT$96.90	NT$96,900.00
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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT-8
Vds - 漏-源擊穿電壓:	700 V
Id - C連續漏極電流:	29 A
Rds On - 漏-源電阻:	80 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	6.2 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	188 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	4 ns
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	FET
產品類型:	GaN FETs
上升時間:	4 ns
系列:	SGT
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
技術:	GaN
類型:	PowerGaN Transistor
標準斷開延遲時間:	5 ns
標準開啟延遲時間:	3 ns
每件重量:	154 mg

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規格書

SGT080R70ILB 規格書 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-11-26 (PDF)

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor is an enhancement-mode transistor designed for high-efficiency power conversion applications. Featuring a drain-source voltage rating of 700V and a typical on-resistance of just 80mΩ, the STMicroelectronics SGT080R70ILB leverages the superior switching performance of Gallium Nitride (GaN) technology to minimize conduction and switching losses. Housed in a compact PowerFLAT 8x8 HV package, the transistor supports high-frequency operation and is ideal for use in resonant converters, power factor correction (PFC) stages, and DC-DC converters. A low gate charge and output capacitance enable faster transitions and reduced energy dissipation, making the SGT080R70ILB well-suited for demanding applications in consumer electronics, industrial systems, and data centers.