SGT120R65AL

STMicroelectronics
511-SGT120R65AL
SGT120R65AL

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 650 V, 75 mOhm typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor
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作廢
規格書:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 氮化鎵場效應管
付運限制：
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RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
120 mOhms
- 10 V, + 6 V
2.6 V
3 nC
- 55 C
+ 155 C
192 W
Enhancement
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 9.7 ns
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品類型: GaN FETs
上升時間: 6 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: E-Mode
標準斷開延遲時間: 8.9 ns
標準開啟延遲時間: 4.1 ns
每件重量: 76 mg
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所選屬性: 0

規格書

Application Notes

Models

SPICE Models

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合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

SGT120R65AL 650V E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT120R65AL 650V E-Mode PowerGaN Transistor offers 15A maximum current capability combined with well-established packaging technology and a Kelvin source connection for optimum gate driving. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency. The SGT120R65AL is available n an industry-standard PowerFLAT 5×6 HV compact surface-mount package. Typical applications include PC adaptors, USB wall chargers, and wireless charging.

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