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STF28N60DM2

Name: STMicroelectronics STF28N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF28N60DM2
Price: 165.27 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

511-STF28N60DM2

製造商編號：

STF28N60DM2

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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規格書:

STF28N60DM2 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$165.27	NT$165.27
	NT$108.27	NT$1,082.70
	NT$80.66	NT$8,066.00
	NT$67.76	NT$33,880.00
	NT$62.38	NT$62,380.00
	NT$58.79	NT$117,580.00
25,000	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	21 A
Rds On - 漏-源電阻:	130 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	34 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	30 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	9.3 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	7.3 ns
系列:	STF28N60DM2
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	53 ns
標準開啟延遲時間:	16 ns
每件重量:	2 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STF28N60DM2 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.