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STF28N65M2

Name: STMicroelectronics STF28N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF28N65M2
Price: 158.46 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STF28N65M2

製造商編號：

STF28N65M2

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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規格書:

STF28N65M2 規格書 (PDF)

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$158.46	NT$158.46
	NT$103.61	NT$1,036.10
	NT$77.44	NT$7,744.00
	NT$64.89	NT$32,445.00
	NT$59.87	NT$59,870.00
	NT$56.28	NT$112,560.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	20 A
Rds On - 漏-源電阻:	150 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	35 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	30 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	8.8 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	10 ns
系列:	STF28N65M2
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	59 ns
標準開啟延遲時間:	13.4 ns
每件重量:	2 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STF28N65M2 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 新加坡
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

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