STF80N600K6

STMicroelectronics
511-STF80N600K6
STF80N600K6

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
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NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$134.44 NT$134.44
NT$87.47 NT$874.70
NT$61.30 NT$6,130.00
NT$51.27 NT$25,635.00
NT$47.68 NT$47,680.00
NT$44.81 NT$112,025.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
7 A
600 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
10.7 nC
- 55 C
+ 150 C
23 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 12.6 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 4.1 ns
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 28.2 ns
標準開啟延遲時間: 9 ns
每件重量: 1.690 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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合規守則
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

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