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STGD6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGD6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD6M65DF2
Price: 55.08 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

511-STGD6M65DF2

製造商編號：

STGD6M65DF2

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

完成您的設計

規格書:

STGD6M65DF2 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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NT$-.--

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完整捲（訂購多個2500）

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MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$55.08	NT$55.08
	NT$35.02	NT$350.20
	NT$23.29	NT$2,329.00
	NT$18.36	NT$9,180.00
	NT$16.73	NT$16,730.00
完整捲（訂購多個2500）
	NT$14.93	NT$37,325.00
	NT$13.29	NT$66,450.00
	NT$13.26	NT$132,600.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	DPAK-3 (TO-252-3)
安裝風格:	SMD/SMT
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.55 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	12 A
Pd - 功率消耗 :	88 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STGD6M65DF2
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic :	12 A
柵射極漏電電流:	+/- 250 uA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	2500
子類別:	IGBTs
每件重量:	330 mg

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所選屬性: 0

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規格書

STGD6M65DF2 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.