STGF20M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF20M65DF2
STGF20M65DF2

製造商:

說明:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 444

庫存:
444 可立即送貨
工廠前置作業時間:
15 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$91.06 NT$91.06
NT$44.45 NT$444.50
NT$40.15 NT$4,015.00
NT$31.91 NT$15,955.00
NT$29.33 NT$29,330.00
NT$27.89 NT$55,780.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
40 A
32.6 W
- 55 C
+ 175 C
STGF20M65DF2
Tube
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 40 A
柵射極漏電電流: 250 uA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 1000
子類別: IGBTs
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時,國家可能會有所變更。