STGP10H60DF

STMicroelectronics
511-STGP10H60DF
STGP10H60DF

製造商:

說明:
IGBT Trench gate H series 600V 10A HiSpd

ECAD模型:
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庫存量: 821

庫存:
821 可立即送貨
工廠前置作業時間:
15 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$87.83 NT$87.83
NT$55.57 NT$555.70
NT$37.64 NT$3,764.00
NT$30.54 NT$15,270.00
NT$27.35 NT$27,350.00
NT$25.56 NT$51,120.00
NT$24.31 NT$121,550.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
20 A
115 W
- 55 C
+ 175 C
STGP10H60DF
Tube
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 10 A
柵射極漏電電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 1000
子類別: IGBTs
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時,國家可能會有所變更。