STGP10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP10M65DF2
STGP10M65DF2

製造商:

說明:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

ECAD模型:
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2,000
預期2027/1/29
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15
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$70.98 NT$70.98
NT$45.17 NT$451.70
NT$30.44 NT$3,044.00
NT$24.09 NT$12,045.00
NT$22.01 NT$22,010.00
NT$21.12 NT$42,240.00
NT$19.57 NT$117,420.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
STGP10M65DF2
Tube
品牌: STMicroelectronics
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 2000
子類別: IGBTs
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
中國
擴散國:
無資料
出貨時,國家可能會有所變更。

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.