STGP20M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP20M65DF2
STGP20M65DF2

製造商:

說明:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss

ECAD模型:
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供貨情況

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在途量:
1,000
預期2026/12/11
工廠前置作業時間:
15
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$108.98 NT$108.98
NT$54.13 NT$541.30
NT$48.76 NT$4,876.00
NT$39.44 NT$19,720.00
NT$36.21 NT$36,210.00
NT$33.70 NT$67,400.00
NT$30.97 NT$154,850.00
NT$30.90 NT$309,000.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
40 A
166 W
- 55 C
+ 175 C
STGP20M65DF2
Tube
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 40 A
柵射極漏電電流: 250 uA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 1000
子類別: IGBTs
每件重量: 1.800 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時,國家可能會有所變更。