STGW30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGW30H60DFB
STGW30H60DFB

製造商:

說明:
IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 7,788

庫存:
7,788
可立即送貨
在途量:
1,200
預期2026/7/9
工廠前置作業時間:
14
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$113.64 NT$113.64
NT$61.30 NT$613.00
NT$49.83 NT$4,983.00
NT$40.87 NT$24,522.00
NT$39.79 NT$47,748.00
NT$37.64 NT$112,920.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGW30H60DFB
Tube
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 30 A
柵射極漏電電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 600
子類別: IGBTs
每件重量: 38 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時,國家可能會有所變更。