STGW30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGW30M65DF2
STGW30M65DF2

製造商:

說明:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

壽命週期:
壽命結束:
計劃停產且製造商將停止供貨。
ECAD模型:
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庫存量: 162

庫存:
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數量超過162會受到最小訂單要求的限制。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$143.76 NT$143.76
NT$88.19 NT$881.90
NT$71.34 NT$7,134.00
NT$61.30 NT$36,780.00
NT$58.79 NT$70,548.00
NT$55.21 NT$165,630.00
NT$50.19 NT$271,026.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGW30M65DF2
Tube
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 60 A
柵射極漏電電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 600
子類別: IGBTs
每件重量: 4.430 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時,國家可能會有所變更。