STGWA75M65DF2

STMicroelectronics
511-STGWA75M65DF2
STGWA75M65DF2

製造商：

說明：
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
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規格書:
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14
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$219.98 NT$219.98
NT$129.54 NT$1,295.40
NT$92.82 NT$9,282.00
NT$91.12 NT$54,672.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
120 A
488 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA75M65DF2
Tube
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 120 A
柵射極漏電電流: +/- 250 uA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 600
子類別: IGBTs
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

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