STGWA80H65DFBAG

STMicroelectronics
511-STGWA80H65DFBAG
STGWA80H65DFBAG

製造商：

說明：
IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$217.60 NT$217.60
NT$128.52 NT$1,285.20
NT$106.76 NT$12,811.20
NT$103.36 NT$52,713.60

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
120 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q100
Tube
品牌: STMicroelectronics
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 30
子類別: IGBTs
每件重量: 6.100 g
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所選屬性: 0

規格書

PCN

SPICE Models

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

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