STH290N4F6-2AG

STMicroelectronics
511-STH290N4F6-2AG
STH290N4F6-2AG

製造商:

說明:
MOSFET LGS LV MOSFET

壽命週期:
NRND:
不建議用於新設計。
ECAD模型:
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供貨情況

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Pricing (TWD)

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NT$55.08 NT$55,080.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
40 V
180 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 48 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 116 ns
系列: STH290N4F6-2AG
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 105 ns
標準開啟延遲時間: 20 ns
每件重量: 4 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.