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STL31N65M5

Name: STMicroelectronics STL31N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL31N65M5
Price: 184.99 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-STL31N65M5

製造商編號：

STL31N65M5

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5

完成您的設計

壽命週期:

壽命結束:

計劃停產且製造商將停止供貨。

規格書:

STL31N65M5 規格書 (PDF)

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庫存量: 2,921

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$184.99	NT$184.99
	NT$123.32	NT$1,233.20
	NT$87.83	NT$8,783.00
	NT$84.25	NT$42,125.00
	NT$78.15	NT$78,150.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$73.49	NT$220,470.00
	NT$68.12	NT$408,720.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT-8x8-5
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	15 A
Rds On - 漏-源電阻:	162 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	45 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	125 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	8.5 ns
濕度敏感:	Yes
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	8 ns
系列:	Mdmesh M5
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	11 ns
標準開啟延遲時間:	46 ns
每件重量:	180 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STL31N65M5 規格書 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-5-26 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.