STL8DN6LF6AG

Name: STMicroelectronics STL8DN6LF6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL8DN6LF6AG
Price: 71.34 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STL8DN6LF6AG

製造商編號：

STL8DN6LF6AG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE

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規格書:

STL8DN6LF6AG 規格書 (PDF)

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MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$71.34	NT$71.34
	NT$40.87	NT$408.70
	NT$27.78	NT$2,778.00
	NT$22.48	NT$11,240.00
	NT$20.47	NT$20,470.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$17.82	NT$53,460.00
	NT$17.32	NT$103,920.00
	NT$16.31	NT$146,790.00
	NT$15.88	NT$381,120.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT-5x6-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	60 V
Id - C連續漏極電流:	32 A
Rds On - 漏-源電阻:	31 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1 V
Qg - 閘極充電:	27 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	55 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	STripFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Dual
下降時間:	7 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	20 ns
系列:	STL8DN6LF6AG
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	2 N-Channel
標準斷開延遲時間:	56 ns
標準開啟延遲時間:	9.6 ns
每件重量:	76 mg

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所選屬性: 0

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規格書

STL8DN6LF6AG 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.