STP11N60DM2

STMicroelectronics
511-STP11N60DM2
STP11N60DM2

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$79.90 NT$79.90
NT$39.78 NT$397.80
NT$35.02 NT$3,502.00
NT$29.04 NT$14,520.00
NT$25.53 NT$25,530.00
NT$24.72 NT$49,440.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
10 A
370 mOhms
- 25 V, 25 V
5 V
16.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 9.5 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 6.3 ns
系列: STP11N60DM2
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 31 ns
標準開啟延遲時間: 11.7 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

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