STP26N60DM6

STMicroelectronics
511-STP26N60DM6
STP26N60DM6

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$154.70 NT$154.70
NT$102.34 NT$1,023.40
NT$62.22 NT$6,222.00
NT$57.80 NT$28,900.00
NT$55.08 NT$55,080.00
NT$54.74 NT$109,480.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
195 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 8 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 11 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 39 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.

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