STP26N60DM6

STMicroelectronics
511-STP26N60DM6
STP26N60DM6

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
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規格書:
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NT$-.--
總價:
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估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$186.42 NT$186.42
NT$122.25 NT$1,222.50
NT$84.25 NT$8,425.00
NT$65.25 NT$32,625.00
NT$62.38 NT$62,380.00
NT$58.44 NT$116,880.00
NT$57.72 NT$288,600.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
195 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 8 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 11 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 39 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.

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