STP28N60DM2

STMicroelectronics
511-STP28N60DM2
STP28N60DM2

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$172.08 NT$172.08
NT$88.55 NT$885.50
NT$80.66 NT$8,066.00
NT$66.32 NT$33,160.00
NT$65.96 NT$65,960.00
NT$64.53 NT$129,060.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
130 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
產品類型: MOSFETs
系列: STP28N60DM2
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
新加坡
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

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