STP45N60DM6

STMicroelectronics
511-STP45N60DM6
STP45N60DM6

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
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總價:
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估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$205.42 NT$205.42
NT$159.17 NT$1,591.70
NT$140.89 NT$14,089.00
NT$132.65 NT$66,325.00
NT$107.19 NT$107,190.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
99 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
210 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 7.3 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 5.3 ns
系列: STP45N60DM6
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 50 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

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