似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

STP80N240K6

Name: STMicroelectronics STP80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N240K6
Price: 240.55 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-STP80N240K6

製造商編號：

STP80N240K6

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

完成您的設計

規格書:

STP80N240K6 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於STMicroelectronics STP80N240K6的資訊

庫存量: 58

庫存：: 58

可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
在途量:: 1,000

預期2027/4/30
工廠前置作業時間：: 16

週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$240.55	NT$240.55
	NT$127.98	NT$1,279.80
	NT$116.87	NT$11,687.00
	NT$97.87	NT$48,935.00
	NT$96.44	NT$96,440.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	800 V
Id - C連續漏極電流:	10 A
Rds On - 漏-源電阻:	220 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	25.9 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	140 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
下降時間:	12 s
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	5.3 ns
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	47.8 ns
標準開啟延遲時間:	16 ns
每件重量:	2 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STP80N240K6 規格書 (PDF)

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6 Power MOSFET is based on the ultimate MDmesh K6 technology built on 20 years of STM experience on super junction technology. The high voltage N-channel power MOSFET offers an ultra-low gate charge and excellent R_DS(on) x area. The ST STP80N240K6 800V Power MOSFET features best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.