STPSC4G065D

STMicroelectronics
511-STPSC4G065D
STPSC4G065D

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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NT$-.--
總價:
NT$-.--
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$82.10 NT$82.10
NT$56.28 NT$562.80
NT$45.53 NT$4,553.00
NT$44.10 NT$22,050.00
NT$37.64 NT$37,640.00
NT$24.45 NT$48,900.00
NT$23.19 NT$139,140.00
NT$22.55 NT$225,500.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
4 A
650 V
1.3 V
30 A
4 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
品牌: STMicroelectronics
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 2000
子類別: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向電壓: 650 V
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所選屬性: 0

規格書

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合規守則
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

標準產品

STMicroelectronics標準產品為符合產業標準且可簡易替換的多樣化產品，適合廣泛使用的通用類比IC、獨立元件及序列EEPROM。標準產品依據多項適用於汽車應用的AECQ最高品質標準製造，提供完整的設計輔助工具，包括SPICE、IBIS模型及模擬工具，使設計更加簡單。

STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

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