似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

STPSC8H065BY-TR

Name: STMicroelectronics STPSC8H065BY-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC8H065BY-TR
Price: 132.26 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-STPSC8H065BY-TR

製造商編號：

STPSC8H065BY-TR

製造商：

STMicroelectronics

說明：

碳化矽肖特基二極管 Automotive 650 V, 8 A Silicon Carbide Diode

完成您的設計

規格書:

STPSC8H065BY-TR 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於STMicroelectronics STPSC8H065BY-TR的資訊

庫存量: 2,480

庫存：: 2,480 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 19 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

數量超過2480會受到最小訂單要求的限制。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個2500）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$132.26	NT$132.26
	NT$87.04	NT$870.40
	NT$61.20	NT$6,120.00
	NT$54.74	NT$27,370.00
完整捲（訂購多個2500）
	NT$44.54	NT$111,350.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DPAK
配置:	Single
If - 順向電流:	8 A
Vrrm - 重複反向電壓:	650 V
Vf - 順向電壓:	1.45 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	75 A
Ir - 反向電流:	7 uA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STPSC
資格:	AEC-Q101
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Diodes & Rectifiers
Vr - 反向電壓:	650 V
每件重量:	320 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STPSC8H065BY-TR 規格書 (PDF)

PCN

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

STPSC蕭特基碳化矽二極體

STMicroelectronics蕭特基碳化矽二極體運用SiC優於標準矽的優異物理特性，提供高出4倍的動態特性與減少15%的順向電壓 (VF)。ST的碳化矽二極體擁有低反向恢復特性，因此成為SMPS應用和其他新興領域的關鍵節能因素，而這些領域包括太陽能轉換、EV或HEV充電站，以及焊接設備和空調等應用。STMicroelectronics SiC產品組合在原有的4至12安培穿孔和SMD封裝產品選項中，加入了20A、600V二極體，採用不含鹵素的TO-247封裝。另外亦提供第二代6A、1200V裝置及650V系列。