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STW10N105K5

Name: STMicroelectronics STW10N105K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW10N105K5
Price: 185.7 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STW10N105K5

製造商編號：

STW10N105K5

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package

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規格書:

STW10N105K5 規格書 (PDF)

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NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$185.70	NT$185.70
	NT$103.61	NT$1,036.10
	NT$85.68	NT$8,568.00
	NT$72.42	NT$43,452.00
	NT$71.70	NT$86,040.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.05 kV
Id - C連續漏極電流:	6 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.3 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	21.5 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	130 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	21.5 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	8 ns
系列:	STW10N105K5
原廠包裝數量:	600
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	50 ns
標準開啟延遲時間:	19 ns
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STW10N105K5 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 義大利
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

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