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STW34N65M5

Name: STMicroelectronics STW34N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW34N65M5
Price: 284.65 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-STW34N65M5

製造商編號：

STW34N65M5

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

完成您的設計

壽命週期:

壽命結束:

計劃停產且製造商將停止供貨。

規格書:

STW34N65M5 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$284.65	NT$284.65
	NT$188.57	NT$1,885.70
	NT$131.57	NT$13,157.00
	NT$120.10	NT$72,060.00

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製造商：

STMicroelectronics

製造商編號：

STW38N65M5

說明：

MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	18.3 A
Rds On - 漏-源電阻:	110 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	62.5 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	190 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
產品類型:	MOSFETs
系列:	Mdmesh M5
原廠包裝數量:	600
子類別:	Transistors
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STW34N65M5 規格書 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-4-3 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.