STW43N60DM2

STMicroelectronics
511-STW43N60DM2
STW43N60DM2

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$248.88 NT$248.88
NT$175.44 NT$1,754.40
NT$146.20 NT$14,620.00
NT$130.22 NT$78,132.00
NT$116.28 NT$139,536.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
34 A
93 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 6 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 27 ns
系列: STW43N60DM2
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 85 ns
標準開啟延遲時間: 29 ns
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

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