+886-2-2799-2096

TTI Family of Specialists旗下成員聯絡Mouser (台北) +886-2-2799-2096 意見回應

更改位置

庫存量

RoHS

登入
新客戶？在此處開始
登入
新客戶？在此處開始

訂單記錄

製造商	製造商編號：	數量	合并总计

瀏覽購物車

似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

發現錯誤嗎?

STW43N60DM2

Name: STMicroelectronics STW43N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW43N60DM2
Price: 315.84 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-STW43N60DM2

製造商編號：

STW43N60DM2

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

完成您的設計

規格書:

STW43N60DM2 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於STMicroelectronics STW43N60DM2的資訊

庫存量: 2,384

庫存：: 2,384 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 20 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$315.84	NT$315.84
	NT$222.27	NT$2,222.70
	NT$179.61	NT$17,961.00
	NT$159.89	NT$95,934.00
	NT$141.61	NT$169,932.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	34 A
Rds On - 漏-源電阻:	93 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	56 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	250 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	6 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	27 ns
系列:	STW43N60DM2
原廠包裝數量:	600
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	85 ns
標準開啟延遲時間:	29 ns
每件重量:	6 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STW43N60DM2 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 新加坡
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.