STW58N65DM2AG

STMicroelectronics
511-STW58N65DM2AG
STW58N65DM2AG

製造商：

說明：
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$364.59 NT$364.59
NT$324.44 NT$3,244.40
NT$294.33 NT$29,433.00
NT$244.86 NT$146,916.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
48 A
65 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
88 nC
- 55 C
+ 150 C
360 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 7.7 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 31 ns
系列: STW58N65DM2AG
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 157 ns
標準開啟延遲時間: 28 ns
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

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