SDS065J050H3-ISATH

Sanan Semiconductor
896-SDS065J050H3ISAT
SDS065J050H3-ISATH

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 650V 50A, TO247-2L, Industrial Grade

規格書:
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總價
NT$228.48 NT$68,544.00
NT$209.44 NT$106,814.40

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Sanan Semiconductor
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
650 V
1.35 V
337 A
120 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
品牌: Sanan Semiconductor
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 30
子類別: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向電壓: 650 V
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

Sanan Semiconductor Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) are developed using Sanan’s advanced 3rd generation SiC SBD technology with high performance and reliability. These SBDs register higher efficiency, higher operation temperatures, and lower losses and operate at higher frequencies than Si-based solutions. The Schottky structure shows no recovery at turn-off and allows a low leakage current with a reverse voltage of up to 1200V. It can contribute to system miniaturization and achieve lightweight system design. Using RoHS-compliant components, the Sanan Semiconductor SiC SBDs are qualified for industrial applications.

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