TSG65N190CR RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N190CRRVG
TSG65N190CR RVG

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 2,993

庫存：
2,993 可立即送貨
工廠前置作業時間：
30 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
數量超過2993會受到最小訂單要求的限制。
此產品已報告長備貨期。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個3000）

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
NT$373.56 NT$373.56
NT$257.04 NT$2,570.40
NT$197.53 NT$19,753.00
NT$181.04 NT$181,040.00
完整捲（訂購多個3000）
NT$161.33 NT$483,990.00
† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Taiwan Semiconductor
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-6
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
190 mOhms
- 7 V, + 7 V
2.6 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
AEC-Q101
品牌: Taiwan Semiconductor
配置: Single
下降時間: 10 ns
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品類型: GaN FETs
上升時間: 5 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
技術: Si
標準斷開延遲時間: 8 ns
標準開啟延遲時間: 5 ns
零件號別名: TSG65N190CR
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

Models

SPICE Models

合規守則
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國台灣
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。