TSG65N190CR RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N190CRRVG
TSG65N190CR RVG

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
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包裝:
完整捲（訂購多個3000）

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
NT$333.54 NT$333.54
NT$229.84 NT$2,298.40
NT$171.02 NT$17,102.00
NT$153.00 NT$76,500.00
完整捲（訂購多個3000）
NT$153.00 NT$459,000.00
† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Taiwan Semiconductor
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-6
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
190 mOhms
- 7 V, + 7 V
2.6 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
品牌: Taiwan Semiconductor
配置: Single
下降時間: 10 ns
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品類型: GaN FETs
上升時間: 5 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
技術: Si
標準斷開延遲時間: 8 ns
標準開啟延遲時間: 5 ns
零件號別名: TSG65N190CR
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所選屬性: 0

規格書

Models

SPICE Models

TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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