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CSD17576Q5B

Name: Texas Instruments CSD17576Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17576Q5B
Price: 62.56 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

595-CSD17576Q5B

製造商編號：

CSD17576Q5B

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17576Q5BT

規格書:

CSD17576Q5B 規格書

ECAD模型:

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NT$-.--

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NT$-.--

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包裝:

完整捲（訂購多個2500）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$62.56	NT$62.56
	NT$40.12	NT$401.20
	NT$26.28	NT$2,628.00
	NT$21.05	NT$10,525.00
	NT$19.35	NT$19,350.00
完整捲（訂購多個2500）
	NT$16.22	NT$40,550.00
	NT$14.62	NT$73,100.00
	NT$14.55	NT$363,750.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD17576Q5BT

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

NT$74.12

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD17576Q5BT

說明：

MOSFET 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17576Q5B

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	VSON-CLIP-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	60 A
Rds On - 漏-源電阻:	2.4 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.1 V
Qg - 閘極充電:	53 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	125 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	3 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	16 ns
系列:	CSD17576Q5B
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	23 ns
標準開啟延遲時間:	5 ns
每件重量:	106.100 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CSD17576Q5B 規格書

SPICE Models

CSD17576Q5B PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。