CSD18537NKCS

Texas Instruments
595-CSD18537NKCS
CSD18537NKCS

製造商：

說明：
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 10

庫存：
10
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在途量:
2,890
預期2026/2/26
工廠前置作業時間：
12
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$57.80 NT$57.80
NT$27.57 NT$275.70
NT$24.58 NT$2,458.00
NT$19.38 NT$9,690.00
NT$16.29 NT$16,290.00
NT$14.76 NT$73,800.00
NT$14.28 NT$142,800.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
56 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
94 W
Enhancement
NexFET
Tube
品牌: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 3.9 ns
互導 - 最小值: 100 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 3.2 ns
系列: CSD18537NKCS
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 12.6 ns
標準開啟延遲時間: 4.5 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

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