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CSD18542KCS

Name: Texas Instruments CSD18542KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18542KCS
Price: 113.64 TWD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

595-CSD18542KCS

製造商編號：

CSD18542KCS

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 60V N-channel NexFET Power MOSFET

規格書:

CSD18542KCS 規格書

ECAD模型:

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單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$113.64	NT$113.64
	NT$66.32	NT$663.20
	NT$50.91	NT$5,091.00
	NT$41.23	NT$20,615.00
	NT$35.85	NT$35,850.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	60 V
Id - C連續漏極電流:	170 A
Rds On - 漏-源電阻:	4 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.5 V
Qg - 閘極充電:	44 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	200 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Tube
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	21 ns
互導 - 最小值:	198 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	5 ns
系列:	CSD18542KCS
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	18 ns
標準開啟延遲時間:	6 ns
每件重量:	2 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 中國

出貨時，國家可能會有所變更。

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